薄膜トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2020002263
開放特許情報登録日
2020/10/26
最新更新日
2020/10/26

基本情報

出願番号 特願2016-033594
出願日 2016/2/24
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2017-152540
公開日 2017/8/31
登録番号 特許第6741439号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 薄膜トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 移動度が大きく製造が容易な塗布型酸化物半導体をチャネルに用いるように構成した薄膜トランジスタの製造方法
目的 エッチングによりダメージを受けることが小さく、半導体特性の劣化を抑制し得る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果 エッチング薬液によって酸化物半導体がダメージを受けることがなく、半導体特性を良好なものとし得る、薄膜トランジスタの製造方法を得ることができる。
技術概要
酸化物半導体の前駆体溶液を、亜鉛1モルに対するスズの含有量が、1.5モル以上2モル以下の組成とされるように、少なくとも亜鉛およびスズを溶媒内に混入して攪拌して作成し、
この後、この前駆体溶液を、ベース上に塗布し、乾燥させて塗布型酸化物半導体層を形成し、
この後、該塗布型酸化物半導体層上に、エッチングストッパー層を形成することなく、ソース・ドレイン電極層を形成し、
該ソース・ドレイン電極層に、リン酸、酢酸および硝酸の混酸液からなるPANエッチャント液を用いたウエットエッチングの処理を施してパターニングを行う、
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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