適用製品
移動度が大きく製造が容易な塗布型酸化物半導体をチャネルに用いるように構成した薄膜トランジスタの製造方法
目的
エッチングによりダメージを受けることが小さく、半導体特性の劣化を抑制し得る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果
エッチング薬液によって酸化物半導体がダメージを受けることがなく、半導体特性を良好なものとし得る、薄膜トランジスタの製造方法を得ることができる。
技術概要
酸化物半導体の前駆体溶液を、亜鉛１モルに対するスズの含有量が、1.5モル以上2モル以下の組成とされるように、少なくとも亜鉛およびスズを溶媒内に混入して攪拌して作成し、
この後、この前駆体溶液を、ベース上に塗布し、乾燥させて塗布型酸化物半導体層を形成し、
この後、該塗布型酸化物半導体層上に、エッチングストッパー層を形成することなく、ソース・ドレイン電極層を形成し、
該ソース・ドレイン電極層に、リン酸、酢酸および硝酸の混酸液からなるPANエッチャント液を用いたウエットエッチングの処理を施してパターニングを行う、
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
