ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス

開放特許情報番号

L2020002154

開放特許情報登録日

2020/10/9

最新更新日

2024/3/26

基本情報

出願番号	特願2020-503629
出願日	2019/2/28
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2019/168123
公開日	2019/9/6
登録番号	特許第6763595号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス
技術分野	電気・電子、機械・加工
機能	材料・素材の製造
適用製品	ナノスケールのギャップ間隔を有する電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス
目的	熱的により安定であり、ナノギャップ電極の間隙部の間隔（ギャップ間隔）をより精密に制御する。また、間隙部にゲート電極により形成される電場が有効に作用するナノギャップ電極を提供する。
効果	金属粒子を有するナノギャップ電極において、無電解メッキで金属粒子を形成する際に自己停止機能を発現させることで、金属粒子の一端から他端までの幅を２０ｎｍ以下としつつ、間隙部の間隔を１０ｎｍ以下とすることができる。
技術概要	第１電極層と、前記第１電極層の先端部に配置された第１金属粒子とを有する第１電極と、 第２電極層と、前記第２電極層の先端部に配置された第２金属粒子を有する第２電極と、を含み、 前記第１金属粒子と前記第２金属粒子とは間隙を持って相対して配置され、 前記第１電極層及び前記第２電極層は前記先端部まで２０ｎｍ以下の均一の幅を有し、膜厚が２０ｎｍ以下であり、 前記第１金属粒子及び前記第２金属粒子の一端から他端までの幅が２０ｎｍ以下であり、 前記第１金属粒子と前記第２金属粒子との間隙の長さが１０ｎｍ以下であり、 前記第１電極層及び前記第２電極層の表面に、前記第１金属粒子及び前記第２金属粒子に加え、複数の他の金属粒子を含み、 前記第１金属粒子及び前記第２金属粒子、並びに前記複数の他の金属粒子は、それぞれが前記第１電極層及び前記第２電極層の表面において相互に接触せず、離間しており、 前記第１電極層及び前記第２電極層が白金で形成され、前記第１金属粒子及び前記第２金属粒子並びに前記他の金属粒子が金であることを特徴とするナノギャップ電極。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	関連する技術資料は以下のURLにおいて掲載しています。 https://www.jst.go.jp/chizai/news/oshigijutsu53.html

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】