化合物半導体及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002153
- 開放特許情報登録日
- 2020/10/9
- 最新更新日
- 2022/8/25
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-521337 |
|---|---|
| 出願日 | 2018/6/1 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/12/6 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン |
| 技術分野 | 電気・電子、金属材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 化合物半導体とその製造方法 |
| 目的 | 高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すｎ型導電型を示す２元系、３元系または４元系の化合物半導体、より具体的には、１３族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。 |
| 効果 | 高温プロセスを経ることなく、単結晶のスパッタリング膜を形成することができる。 |
技術概要) |
窒素と１３族元素であるＢ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎからなる群より選ばれる一つの元素を含有する２元系、３元系または４元系の化合物半導体であって、
電子濃度と比抵抗の二つの物性値の組み合わせについて、 （ａ）電子濃度が１．８×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．２５×１０↑-3Ω・ｃｍ、 （ｂ）電子濃度が３．６×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．２５×１０↑-3Ω・ｃｍ、 （ｃ）電子濃度が６×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．１５×１０↑-3Ω・ｃｍ、 及び、 （ｄ）電子濃度が３×１０↑20ｃｍ↑-3、且つ、比抵抗が０．１５×１０↑-3Ω・ｃｍ、 の４点で囲まれた数値条件を満たす化合物半導体。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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