化合物半導体及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002153
- 開放特許情報登録日
- 2020/10/9
- 最新更新日
- 2022/8/25
基本情報
出願番号 | 特願2019-521337 |
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出願日 | 2018/6/1 |
出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2018/12/6 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
発明の名称 | 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン |
技術分野 | 電気・電子、金属材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 化合物半導体とその製造方法 |
目的 | 高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すn型導電型を示す2元系、3元系または4元系の化合物半導体、より具体的には、13族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。 |
効果 | 高温プロセスを経ることなく、単結晶のスパッタリング膜を形成することができる。 |
技術概要![]() |
窒素と13族元素であるB、Al、GaまたはInからなる群より選ばれる一つの元素を含有する2元系、3元系または4元系の化合物半導体であって、
電子濃度と比抵抗の二つの物性値の組み合わせについて、 (a)電子濃度が1.8×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.25×10↑-3Ω・cm、 (b)電子濃度が3.6×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.25×10↑-3Ω・cm、 (c)電子濃度が6×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.15×10↑-3Ω・cm、 及び、 (d)電子濃度が3×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.15×10↑-3Ω・cm、 の4点で囲まれた数値条件を満たす化合物半導体。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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