化合物半導体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2020002153
開放特許情報登録日
2020/10/9
最新更新日
2020/10/9

基本情報

出願番号 特願2019-521337
出願日 2018/6/1
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2018/221711
公開日 2018/12/6
発明の名称 化合物半導体及びその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 化合物半導体とその製造方法
目的 高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すn型導電型を示す2元系、3元系または4元系の化合物半導体、より具体的には、13族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。
効果 高温プロセスを経ることなく、単結晶のスパッタリング膜を形成することができる。
技術概要
窒素と13族元素であるB、Al、GaまたはInからなる群より選ばれる一つの元素を含有する2元系、3元系または4元系の化合物半導体であって、
電子濃度と比抵抗の二つの物性値の組み合わせについて、
(a)電子濃度が1.8×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.25×10↑-3Ω・cm、
(b)電子濃度が3.6×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.25×10↑-3Ω・cm、
(c)電子濃度が6×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.15×10↑-3Ω・cm、
及び、
(d)電子濃度が3×10↑20cm↑-3、且つ、比抵抗が0.15×10↑-3Ω・cm、
の4点で囲まれた数値条件を満たす化合物半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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