LED素子

開放特許情報番号
L2020002150
開放特許情報登録日
2020/10/9
最新更新日
2020/10/9

基本情報

出願番号 特願2018-196890
出願日 2018/10/18
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2019-062204
公開日 2019/4/18
発明の名称 LED素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 化合物半導体とその製造方法
目的 高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すn型導電型を示す2元系、3元系または4元系の化合物半導体、より具体的には、13族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。
効果 半導体デバイスとして利用し易く良質な13族窒化物半導体膜を提供することができる。
技術概要
窒素と13族元素であるB、Al、GaまたはInからなる群より選ばれる一つの元素を含有する2元系、3元系または4元系の化合物半導体であって、
1×10↑17cm↑-3以上の酸素を不純物として含有し、
5×10↑19cm↑-3以上の電子濃度を有し、N型導電性であり、
電子移動度が46cm↑2/V・s以上である化合物半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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