| 出願番号 |
特願2016-022090 |
| 出願日 |
2016/2/8 |
| 出願人 |
古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 |
特開2017-141120 |
| 公開日 |
2017/8/17 |
| 登録番号 |
特許第6663237号 |
| 特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 |
ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 |
マスクパターンを使用せずに極性や表面欠陥の影響を軽減したIII族窒化物半導体基板を提供する。 |
| 効果 |
極性や表面欠陥の影響を軽減できるIII族窒化物半導体基板が実現される。 |
技術概要
 |
III族窒化物半導体で構成され、主面がミラー指数｛ｈｋｌｍ｝で表される六方晶系結晶においてｍの指数がマイナスとなる半極性面であり、前記主面に複数の欠陥が存在し、複数の前記欠陥の一部が線状に並んで欠陥列となっているIII族窒化物半導体層を有し、
前記主面には複数の前記欠陥列が存在し、複数の前記欠陥列は同一方向に延伸しているIII族窒化物半導体基板。
するIII族窒化物半導体基板。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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