出願番号 |
特願2016-022090 |
出願日 |
2016/2/8 |
出願人 |
古河機械金属株式会社 |
公開番号 |
特開2017-141120 |
公開日 |
2017/8/17 |
登録番号 |
特許第6663237号 |
特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
発明の名称 |
III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法 |
技術分野 |
無機材料 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法 |
目的 |
マスクパターンを使用せずに極性や表面欠陥の影響を軽減したIII族窒化物半導体基板を提供する。 |
効果 |
極性や表面欠陥の影響を軽減できるIII族窒化物半導体基板が実現される。 |
技術概要
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III族窒化物半導体で構成され、主面がミラー指数{hklm}で表される六方晶系結晶においてmの指数がマイナスとなる半極性面であり、前記主面に複数の欠陥が存在し、複数の前記欠陥の一部が線状に並んで欠陥列となっているIII族窒化物半導体層を有し、
前記主面には複数の前記欠陥列が存在し、複数の前記欠陥列は同一方向に延伸しているIII族窒化物半導体基板。
するIII族窒化物半導体基板。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【可】
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特許権実施許諾 |
【可】
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