III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002120
開放特許情報登録日
2021/1/13
最新更新日
2021/1/13

基本情報

出願番号 特願2016-022090
出願日 2016/2/8
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2017-141120
公開日 2017/8/17
登録番号 特許第6663237号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法
目的 マスクパターンを使用せずに極性や表面欠陥の影響を軽減したIII族窒化物半導体基板を提供する。
効果 極性や表面欠陥の影響を軽減できるIII族窒化物半導体基板が実現される。
技術概要
III族窒化物半導体で構成され、主面がミラー指数{hklm}で表される六方晶系結晶においてmの指数がマイナスとなる半極性面であり、前記主面に複数の欠陥が存在し、複数の前記欠陥の一部が線状に並んで欠陥列となっているIII族窒化物半導体層を有し、
前記主面には複数の前記欠陥列が存在し、複数の前記欠陥列は同一方向に延伸しているIII族窒化物半導体基板。
するIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT