III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002117
開放特許情報登録日
2021/1/13
最新更新日
2021/1/13

基本情報

出願番号 特願2015-157967
出願日 2015/8/10
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2017-036174
公開日 2017/2/16
登録番号 特許第6652347号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
目的 露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術を提供する。
効果 露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術が実現される。
技術概要
+C面が露出した平坦面と、
前記平坦面から傾いており、+C面と異なる面方位の非+C面が露出した傾斜面と、
を含む成長面を有し、
平面視で、前記成長面における前記傾斜面の占有率は、30%以上70%以下であるIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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