ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002117
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/13
- 最新更新日
- 2021/1/13
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-157967 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/8/10 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/2/16 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | 露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術を提供する。 |
| 効果 | 露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術が実現される。 |
技術概要) |
＋Ｃ面が露出した平坦面と、
前記平坦面から傾いており、＋Ｃ面と異なる面方位の非＋Ｃ面が露出した傾斜面と、 を含む成長面を有し、 平面視で、前記成長面における前記傾斜面の占有率は、３０％以上７０％以下であるIII族窒化物半導体基板。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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