III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002117
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/13
- 最新更新日
- 2021/1/13
基本情報
出願番号 | 特願2015-157967 |
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出願日 | 2015/8/10 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2017/2/16 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法 |
技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法 |
目的 | 露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術を提供する。 |
効果 | 露出面における転位密度が小さいIII族窒化物半導体層を実現するための技術が実現される。 |
技術概要![]() |
+C面が露出した平坦面と、
前記平坦面から傾いており、+C面と異なる面方位の非+C面が露出した傾斜面と、 を含む成長面を有し、 平面視で、前記成長面における前記傾斜面の占有率は、30%以上70%以下であるIII族窒化物半導体基板。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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