単結晶半導体層、自立基板及び積層構造体の製造方法

開放特許情報番号
L2020002103
開放特許情報登録日
2021/1/11
最新更新日
2021/1/11

基本情報

出願番号 特願2014-230448
出願日 2014/11/13
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2016-094309
公開日 2016/5/26
登録番号 特許第6530905号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 単結晶半導体層、自立基板及び積層構造体の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体の単結晶半導体層、自立基板、積層構造体及びこれらの製造方法
目的 LEDやLD等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術を提供する。
効果 LEDやLD等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術が実現される。
技術概要
下地基板を準備する準備工程と、
前記下地基板の上に、In↓xGa↓(1−x)N(0≦x≦1)で構成され、c軸方向の格子定数をL1とし、(0.575x+5.185)ÅをL2としたとき、L2を基準としたL1の変化率(L1−L2)/L2は、0.386×10↑(−4)以上4.243×10↑(−4)以下であり、a軸方向の格子定数をM1とし、(0.359x+3.189)ÅをM2としたとき、M2を基準としたM1の変化率(M1−M2)/M2は、0.314×10↑(−4)以上4.077×10↑(−4)以下である単結晶半導体層を形成する成長工程と、
前記成長工程の前に、前記単結晶半導体層のc軸方向の格子定数及びa軸方向の格子定数のターゲット値に基づいて、前記単結晶半導体層にドーピングする不純物の濃度を決定する決定工程と、
を有する単結晶半導体層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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