| 出願番号 |
特願2014-230448 |
| 出願日 |
2014/11/13 |
| 出願人 |
古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 |
特開2016-094309 |
| 公開日 |
2016/5/26 |
| 登録番号 |
特許第6530905号 |
| 特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 |
単結晶半導体層、自立基板及び積層構造体の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＩＩＩ族窒化物半導体の単結晶半導体層、自立基板、積層構造体及びこれらの製造方法 |
| 目的 |
ＬＥＤやＬＤ等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術を提供する。 |
| 効果 |
ＬＥＤやＬＤ等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術が実現される。 |
技術概要
 |
下地基板を準備する準備工程と、
前記下地基板の上に、Ｉｎ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０≦ｘ≦１）で構成され、ｃ軸方向の格子定数をＬ１とし、（０．５７５ｘ＋５．１８５）ÅをＬ２としたとき、Ｌ２を基準としたＬ１の変化率（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ２は、０．３８６×１０↑（−４）以上４．２４３×１０↑（−４）以下であり、ａ軸方向の格子定数をＭ１とし、（０．３５９ｘ＋３．１８９）ÅをＭ２としたとき、Ｍ２を基準としたＭ１の変化率（Ｍ１−Ｍ２）／Ｍ２は、０．３１４×１０↑（−４）以上４．０７７×１０↑（−４）以下である単結晶半導体層を形成する成長工程と、
前記成長工程の前に、前記単結晶半導体層のｃ軸方向の格子定数及びａ軸方向の格子定数のターゲット値に基づいて、前記単結晶半導体層にドーピングする不純物の濃度を決定する決定工程と、
を有する単結晶半導体層の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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