出願番号 |
特願2014-230448 |
出願日 |
2014/11/13 |
出願人 |
古河機械金属株式会社 |
公開番号 |
特開2016-094309 |
公開日 |
2016/5/26 |
登録番号 |
特許第6530905号 |
特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
発明の名称 |
単結晶半導体層、自立基板及び積層構造体の製造方法 |
技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
III族窒化物半導体の単結晶半導体層、自立基板、積層構造体及びこれらの製造方法 |
目的 |
LEDやLD等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術を提供する。 |
効果 |
LEDやLD等のデバイスにおいて、内部量子効率を向上させるための技術が実現される。 |
技術概要
 |
下地基板を準備する準備工程と、
前記下地基板の上に、In↓xGa↓(1−x)N(0≦x≦1)で構成され、c軸方向の格子定数をL1とし、(0.575x+5.185)ÅをL2としたとき、L2を基準としたL1の変化率(L1−L2)/L2は、0.386×10↑(−4)以上4.243×10↑(−4)以下であり、a軸方向の格子定数をM1とし、(0.359x+3.189)ÅをM2としたとき、M2を基準としたM1の変化率(M1−M2)/M2は、0.314×10↑(−4)以上4.077×10↑(−4)以下である単結晶半導体層を形成する成長工程と、
前記成長工程の前に、前記単結晶半導体層のc軸方向の格子定数及びa軸方向の格子定数のターゲット値に基づいて、前記単結晶半導体層にドーピングする不純物の濃度を決定する決定工程と、
を有する単結晶半導体層の製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【可】
|
特許権実施許諾 |
【可】
|