| 出願番号 |
特願2014-086189 |
| 出願日 |
2014/4/18 |
| 出願人 |
古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 |
特開2015-207618 |
| 公開日 |
2015/11/19 |
| 登録番号 |
特許第6527667号 |
| 特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 |
窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
窒化物半導体基板、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体基板の製造方法、及び、窒化物半導体デバイスの製造方法 |
| 目的 |
窒化物半導体からなる下地基板の上にＣ原子を不純物として含む窒化物半導体の層（半絶縁層）を生成し、その上に、他の層やデバイスを生成する際に、当該他の層やデバイスの品質が不十分となる不都合を解消する手段を提供する。 |
| 効果 |
窒化物半導体からなる下地基板の上にＣ原子を不純物として含む窒化物半導体の層（半絶縁層）を生成し、その上に、他の層やデバイスを生成する際に、当該他の層やデバイスの品質が不十分となる不都合を解消することが可能となる。 |
技術概要
 |
ＧａＮ基板を準備する準備工程と、
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法で、前記ＧａＮ基板上に、炭素を不純物として含み、（０００２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が５５ａｒｃｓｅｃ以下である炭素含有窒化物半導体層を形成する炭素含有窒化物層形成工程と、
を有し、
前記炭素含有窒化物層形成工程では、温度９００℃以上１１５０℃以下、真空度３０ｔｏｒｒ以上１５０ｔｏｒｒ以下、Ｖ／ＩＩＩ比５０以上２００以下、成膜速度１５μｍ／ｈ以上の成長条件で窒化物半導体を成長させることで、窒化物半導体の原料となる有機金属中に含まれる炭素が含有した窒化物半導体の層を形成する窒化物半導体基板の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)