ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002098
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/8
- 最新更新日
- 2021/1/8
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-053197 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/3/17 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/9/29 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | 平坦性の高いIII族窒化物半導体基板及びその製造方法の提供。 |
| 効果 | III族窒化物半導体基板の表面を平坦化する新たな方法が実現される。 |
技術概要) |
III族窒化物半導体で構成された第１のIII族窒化物半導体層を準備する準備工程と、
前記第１のIII族窒化物半導体層の第１の面上に、III族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることで、露出している成長面が前記第１のIII族窒化物半導体層の前記第１の面よりも平坦性が高い第２のIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、 を有し、 前記成長工程では、互いに膜組成が異なる３つの膜が積層した前記第２のIII族窒化物半導体層を形成し、 最下層の膜の成長速度は、０．５μｍ／ｈｒ以上２．０μｍ／ｈｒ以下であり、 前記最下層の直上の膜の成長速度は、１．５μｍ／ｈｒ以上８．０μｍ／ｈｒ以下であり、 最上層の膜の成長速度は、１５．０μｍ／ｈｒ以上４０．０μｍ／ｈｒ以下であるIII族窒化物半導体基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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