III族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002098
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/8
- 最新更新日
- 2021/1/8
基本情報
出願番号 | 特願2015-053197 |
---|---|
出願日 | 2015/3/17 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2016/9/29 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | III族窒化物半導体基板の製造方法 |
技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法 |
目的 | 平坦性の高いIII族窒化物半導体基板及びその製造方法の提供。 |
効果 | III族窒化物半導体基板の表面を平坦化する新たな方法が実現される。 |
技術概要![]() |
III族窒化物半導体で構成された第1のIII族窒化物半導体層を準備する準備工程と、
前記第1のIII族窒化物半導体層の第1の面上に、III族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることで、露出している成長面が前記第1のIII族窒化物半導体層の前記第1の面よりも平坦性が高い第2のIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、 を有し、 前記成長工程では、互いに膜組成が異なる3つの膜が積層した前記第2のIII族窒化物半導体層を形成し、 最下層の膜の成長速度は、0.5μm/hr以上2.0μm/hr以下であり、 前記最下層の直上の膜の成長速度は、1.5μm/hr以上8.0μm/hr以下であり、 最上層の膜の成長速度は、15.0μm/hr以上40.0μm/hr以下であるIII族窒化物半導体基板の製造方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
---|---|
その他の情報
関連特許 |
|
---|