III族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002098
開放特許情報登録日
2021/1/8
最新更新日
2021/1/8

基本情報

出願番号 特願2015-053197
出願日 2015/3/17
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2016-172659
公開日 2016/9/29
登録番号 特許第6499481号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
目的 平坦性の高いIII族窒化物半導体基板及びその製造方法の提供。
効果 III族窒化物半導体基板の表面を平坦化する新たな方法が実現される。
技術概要
III族窒化物半導体で構成された第1のIII族窒化物半導体層を準備する準備工程と、
前記第1のIII族窒化物半導体層の第1の面上に、III族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることで、露出している成長面が前記第1のIII族窒化物半導体層の前記第1の面よりも平坦性が高い第2のIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、
を有し、
前記成長工程では、互いに膜組成が異なる3つの膜が積層した前記第2のIII族窒化物半導体層を形成し、
最下層の膜の成長速度は、0.5μm/hr以上2.0μm/hr以下であり、
前記最下層の直上の膜の成長速度は、1.5μm/hr以上8.0μm/hr以下であり、
最上層の膜の成長速度は、15.0μm/hr以上40.0μm/hr以下であるIII族窒化物半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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