自立基板、及び、自立基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002095
開放特許情報登録日
2021/1/8
最新更新日
2021/1/8

基本情報

出願番号 特願2014-204524
出願日 2014/10/3
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2016-074549
公開日 2016/5/12
登録番号 特許第6497886号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 自立基板、及び、自立基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 自立基板、及び、自立基板の製造方法
目的 自立基板の上に形成するデバイスの特性への悪影響を軽減するための新たな技術を提供する。
効果 自立基板の上に形成するデバイスの特性への悪影響を軽減することが可能となる。
技術概要
III族窒化物半導体からなる層と、
前記層の中に存在し、前記層の厚さ方向に延伸し、他の領域よりも不純物濃度が高いピット埋込領域と、
を有し、
前記層の露出面における前記ピット埋込領域の密度は、0.9個/cm↑2以下である自立基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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