ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002093
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/8
- 最新更新日
- 2021/1/8
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-053058 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/3/17 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/9/29 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | 下地基板とIII族窒化物半導体層との剥離方法を提供する。 |
| 効果 | 従来にない新たな剥離方法が実現される。 |
技術概要) |
Ｘ膜（Ｘは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ又はＴａ）とＣ膜とを交互に連続的に積層し、かつ、加熱することで得られるＸＣ層を、下地基板の上に形成するＸＣ層形成工程と、
前記ＸＣ層の上にIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、 前記下地基板と前記III族窒化物半導体層を分離する分離工程と、 を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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