III族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002093
開放特許情報登録日
2021/1/8
最新更新日
2021/1/8

基本情報

出願番号 特願2015-053058
出願日 2015/3/17
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2016-174069
公開日 2016/9/29
登録番号 特許第6466216号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板の製造方法
目的 下地基板とIII族窒化物半導体層との剥離方法を提供する。
効果 従来にない新たな剥離方法が実現される。
技術概要
X膜(Xは、Ti、Al、Zr、Hf、V又はTa)とC膜とを交互に連続的に積層し、かつ、加熱することで得られるXC層を、下地基板の上に形成するXC層形成工程と、
前記XC層の上にIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、
前記下地基板と前記III族窒化物半導体層を分離する分離工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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