III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002092
開放特許情報登録日
2021/1/8
最新更新日
2021/1/8

基本情報

出願番号 特願2015-028354
出願日 2015/2/17
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2016-150865
公開日 2016/8/22
登録番号 特許第6466195号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
目的 III族窒化物半導体基板を製造する新たな技術を提供する
効果 III族窒化物半導体基板を製造する新たな技術が実現される。
技術概要
互いの間に隙間を挟んで配置された複数のIII族窒化物半導体の結晶片と、
多結晶のIII族窒化物半導体で構成され、前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーと、
を備える板状の第1の層を有し、
前記隙間は、前記第1の層の第1の主面から第2の主面に向けて幅が広がっているIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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