ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002091
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/8
- 最新更新日
- 2021/1/8
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-028353 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/2/17 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/8/22 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | III族窒化物半導体基板を製造する新たな技術を提供する。 |
| 効果 | III族窒化物半導体基板を製造する新たな技術が実現される。 |
技術概要) |
互いの間に隙間を挟んで配置された複数のIII族窒化物半導体の結晶片と、
多結晶のIII族窒化物半導体で構成され、前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーと、 を有するIII族窒化物半導体基板。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|