自立基板の製造方法および自立基板
- 開放特許情報番号
- L2020002086
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/28
- 最新更新日
- 2020/12/28
基本情報
出願番号 | 特願2014-097384 |
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出願日 | 2014/5/9 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2015/12/3 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | 自立基板の製造方法および自立基板 |
技術分野 | 無機材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 自立基板の製造方法および自立基板 |
目的 | n型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供する。 |
効果 | n型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供することができる。 |
技術概要![]() |
III族窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に、ハイドライド気相成長法により、III族窒化物半導体層を形成する工程とを含み、 前記III族窒化物半導体層を形成する工程は、n型不純物の濃度が5×10↑(18)cm↑(−3)以上であり、厚さが50μm以上である高濃度領域を形成する工程を含み、 前記高濃度領域を形成する工程では、成長温度を1120℃以上とし、ドーピングガスとしてジクロロシランを用い、 貫通転位密度を5×10↑(6)cm↑(−2)以下とする自立基板の製造方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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