自立基板の製造方法および自立基板

開放特許情報番号
L2020002086
開放特許情報登録日
2020/12/28
最新更新日
2020/12/28

基本情報

出願番号 特願2014-097384
出願日 2014/5/9
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-214441
公開日 2015/12/3
登録番号 特許第6437736号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 自立基板の製造方法および自立基板
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 自立基板の製造方法および自立基板
目的 n型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供する。
効果 n型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供することができる。
技術概要
III族窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に、ハイドライド気相成長法により、III族窒化物半導体層を形成する工程とを含み、
前記III族窒化物半導体層を形成する工程は、n型不純物の濃度が5×10↑(18)cm↑(−3)以上であり、厚さが50μm以上である高濃度領域を形成する工程を含み、
前記高濃度領域を形成する工程では、成長温度を1120℃以上とし、ドーピングガスとしてジクロロシランを用い、
貫通転位密度を5×10↑(6)cm↑(−2)以下とする自立基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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