自立基板の製造方法および自立基板

基本情報

出願番号	特願2014-097384
出願日	2014/5/9
出願人	古河機械金属株式会社
公開番号	特開2015-214441
公開日	2015/12/3
登録番号	特許第6437736号
特許権者	古河機械金属株式会社
発明の名称	自立基板の製造方法および自立基板
技術分野	無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	自立基板の製造方法および自立基板
目的	ｎ型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供する。
効果	ｎ型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供することができる。
技術概要	ＩＩＩ族窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、前記下地基板上に、ハイドライド気相成長法により、ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する工程とを含み、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する工程は、ｎ型不純物の濃度が５×１０↑（１８）ｃｍ↑（－３）以上であり、厚さが５０μｍ以上である高濃度領域を形成する工程を含み、前記高濃度領域を形成する工程では、成長温度を１１２０℃以上とし、ドーピングガスとしてジクロロシランを用い、貫通転位密度を５×１０↑（６）ｃｍ↑（－２）以下とする自立基板の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	古河機械金属株式会社