自立基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002085
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/28
- 最新更新日
- 2020/12/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-077904 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/4/4 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/11/12 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | 自立基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 自立基板の製造方法 |
| 目的 | 自立基板（III族窒化物半導体基板）の生産性を向上できる自立基板の製造方法。 |
| 効果 | 自立基板（III族窒化物半導体基板）の生産性を向上できる自立基板の製造方法が提供される。 |
技術概要) |
下地基板上に、第１の層として、炭化物ＭＣ（炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル）が分散した炭素層を形成する第１の工程と、
前記第１の層の上に、第２の層として、炭化物ＭＣ（炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル）の層を形成する第２の工程と、 前記第２の層を窒化する第３の工程と、 前記窒化された第２の層の上に、III族窒化物半導体層を形成する第４の工程と、 前記第４の工程の後、前記下地基板、前記第１の層、窒化された前記第２の層及び前記III族窒化物半導体層を含む積層体を、前記III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱する第５の工程と、 を有し、 前記炭化物ＭＣを構成する金属元素Ｍと、前記III族窒化物半導体層を構成するIII族元素とは異なる自立基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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