自立基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002085
開放特許情報登録日
2020/12/28
最新更新日
2020/12/28

基本情報

出願番号 特願2014-077904
出願日 2014/4/4
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-199616
公開日 2015/11/12
登録番号 特許第6427330号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 自立基板の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 自立基板の製造方法
目的 自立基板(III族窒化物半導体基板)の生産性を向上できる自立基板の製造方法。
効果 自立基板(III族窒化物半導体基板)の生産性を向上できる自立基板の製造方法が提供される。
技術概要
下地基板上に、第1の層として、炭化物MC(炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル)が分散した炭素層を形成する第1の工程と、
前記第1の層の上に、第2の層として、炭化物MC(炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル)の層を形成する第2の工程と、
前記第2の層を窒化する第3の工程と、
前記窒化された第2の層の上に、III族窒化物半導体層を形成する第4の工程と、
前記第4の工程の後、前記下地基板、前記第1の層、窒化された前記第2の層及び前記III族窒化物半導体層を含む積層体を、前記III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱する第5の工程と、
を有し、
前記炭化物MCを構成する金属元素Mと、前記III族窒化物半導体層を構成するIII族元素とは異なる自立基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT