ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002075
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/28
- 最新更新日
- 2020/12/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-029761 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/2/19 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/8/24 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法 |
| 技術分野 | 金属材料、無機材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法 |
| 目的 | 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。 |
| 効果 | 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造することができる。 |
技術概要) |
下地基板に、前記下地基板の第１の面から前記下地基板の厚さ方向に伸び、かつ、前記下地基板に形成された転位と繋がり、開口の直径Ｄｉが１００ｎｍ≦Ｄｉ≦５００ｎｍを満たし、開口の深さＤｅが１０００ｎｍ≦Ｄｅ≦１００００ｎｍを満たす縦長ピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記下地基板の前記第１の面の上に、前記縦長ピットの少なくとも一部分を空洞として残して、III族窒化物半導体を成長させる成長工程と、 を有し、 前記ピット形成工程は、 前記下地基板の前記第１の面上に、ＳｉＯ↓２膜又はＳｉＮ膜である保護膜を形成する保護膜形成工程と、 前記保護膜形成工程の後、ＴＭＧａ又はＴＥＧａと、ＮＨ↓３とを供給しながら前記下地基板及び前記保護膜を加熱することで、前記縦長ピットを形成する熱処理工程と、 を有し、 前記熱処理工程では、前記加熱の間、前記ＮＨ↓３の流量を、１ｓｌｍ以上である第１の流量と、０ｓｌｍである第２の流量との間で交互に切り替えるIII族窒化半導体層の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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