III族窒化物半導体層の製造方法

開放特許情報番号
L2020002075
開放特許情報登録日
2020/12/28
最新更新日
2020/12/28

基本情報

出願番号 特願2014-029761
出願日 2014/2/19
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-151626
公開日 2015/8/24
登録番号 特許第6349101号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体層の製造方法
技術分野 金属材料、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体層の製造方法
目的 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。
効果 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造することができる。
技術概要
下地基板に、前記下地基板の第1の面から前記下地基板の厚さ方向に伸び、かつ、前記下地基板に形成された転位と繋がり、開口の直径Diが100nm≦Di≦500nmを満たし、開口の深さDeが1000nm≦De≦10000nmを満たす縦長ピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記下地基板の前記第1の面の上に、前記縦長ピットの少なくとも一部分を空洞として残して、III族窒化物半導体を成長させる成長工程と、
を有し、
前記ピット形成工程は、
前記下地基板の前記第1の面上に、SiO↓2膜又はSiN膜である保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後、TMGa又はTEGaと、NH↓3とを供給しながら前記下地基板及び前記保護膜を加熱することで、前記縦長ピットを形成する熱処理工程と、
を有し、
前記熱処理工程では、前記加熱の間、前記NH↓3の流量を、1slm以上である第1の流量と、0slmである第2の流量との間で交互に切り替えるIII族窒化半導体層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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