自立基板の製造方法及び自立基板
- 開放特許情報番号
- L2020002073
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/28
- 最新更新日
- 2020/12/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-097745 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/5/9 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/12/3 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | 自立基板の製造方法及び自立基板 |
| 技術分野 | 無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 自立基板の製造方法及び自立基板 |
| 目的 | 簡便な手段で、反りを低減した自立基板を提供する。 |
| 効果 | 簡便な工程で、反りを低減した自立基板を提供することができる。 |
技術概要) |
ウルツ鉱型結晶構造を有する第１の窒化物半導体からなり、＋ｃ面からなる成長面が凹状に反った基板を準備する第１の工程と、
前記成長面上に、ウルツ鉱型結晶構造を有する第２の窒化物半導体からなる第１の層を形成する第２の工程と、 を含み、 前記第１の層を形成する前の前記第１の窒化物半導体のａ軸方向の格子定数をｘ１とし、前記第２の窒化物半導体のａ軸方向の格子定数をｘ２としたとき、ｘ１＜ｘ２であり、 前記第２の工程では、炭素をドープされた前記第１の層を形成し、 前記第１の層における炭素の濃度（ａｔｍｓ／ｃｍ↑３）は、前記凹状に反った基板における炭素の濃度よりも高い自立基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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