自立基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002071
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/23
- 最新更新日
- 2020/12/23
基本情報
出願番号 | 特願2014-106140 |
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出願日 | 2014/5/22 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2015/12/10 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | 自立基板の製造方法 |
技術分野 | 無機材料、電気・電子、金属材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | III族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法 |
目的 | 凹状の反りを抑制した自立基板の製造方法を提供する。 |
効果 | 自立基板の凹状の反りを抑制できる。 |
技術概要![]() |
窒化物半導体からなり、第1の面に凸部を有する下地基板を準備する準備工程と、
第1の面を薬液によりエッチングする前処理工程と、 前処理工程の後、第1の面上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、 を有し、 準備工程は、 基材上に、第1の層として、炭化物MC(炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル)が分散した炭素層を形成する第1の工程と、 第1の層の上に、第2の層として、炭化物MC(炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル)の層を形成する第2の工程と、 第2の層を窒化する第3の工程と、 窒化された第2の層の上に、III族窒化物半導体層を形成する第4の工程と、 第4の工程の後、基材、第1の層、窒化された第2の層及びIII族窒化物半導体層を含む積層体を、III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱し、基材とIII族窒化物半導体層とを分離する第5の工程と、 を有し、 第5の工程で分離されたIII族窒化物半導体層から下地基板を得る自立基板の製造方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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