自立基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002071
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2014-106140
出願日 2014/5/22
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-221731
公開日 2015/12/10
登録番号 特許第6334259号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 自立基板の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法
目的 凹状の反りを抑制した自立基板の製造方法を提供する。
効果 自立基板の凹状の反りを抑制できる。
技術概要
窒化物半導体からなり、第1の面に凸部を有する下地基板を準備する準備工程と、
第1の面を薬液によりエッチングする前処理工程と、
前処理工程の後、第1の面上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、
を有し、
準備工程は、
基材上に、第1の層として、炭化物MC(炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル)が分散した炭素層を形成する第1の工程と、
第1の層の上に、第2の層として、炭化物MC(炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル)の層を形成する第2の工程と、
第2の層を窒化する第3の工程と、
窒化された第2の層の上に、III族窒化物半導体層を形成する第4の工程と、
第4の工程の後、基材、第1の層、窒化された第2の層及びIII族窒化物半導体層を含む積層体を、III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱し、基材とIII族窒化物半導体層とを分離する第5の工程と、
を有し、
第5の工程で分離されたIII族窒化物半導体層から下地基板を得る自立基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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