自立基板の製造方法

開放特許情報番号

L2020002071

開放特許情報登録日

2020/12/23

最新更新日

2020/12/23

基本情報

出願番号	特願2014-106140
出願日	2014/5/22
出願人	古河機械金属株式会社
公開番号	特開2015-221731
公開日	2015/12/10
登録番号	特許第6334259号
特許権者	古河機械金属株式会社
発明の名称	自立基板の製造方法
技術分野	無機材料、電気・電子、金属材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	ＩＩＩ族窒化物半導体からなる自立基板の製造方法
目的	凹状の反りを抑制した自立基板の製造方法を提供する。
効果	自立基板の凹状の反りを抑制できる。
技術概要	窒化物半導体からなり、第１の面に凸部を有する下地基板を準備する準備工程と、 第１の面を薬液によりエッチングする前処理工程と、 前処理工程の後、第１の面上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、 を有し、 準備工程は、 基材上に、第１の層として、炭化物ＭＣ（炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル）が分散した炭素層を形成する第１の工程と、 第１の層の上に、第２の層として、炭化物ＭＣ（炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタル）の層を形成する第２の工程と、 第２の層を窒化する第３の工程と、 窒化された第２の層の上に、III族窒化物半導体層を形成する第４の工程と、 第４の工程の後、基材、第１の層、窒化された第２の層及びIII族窒化物半導体層を含む積層体を、III族窒化物半導体層を形成する際の加熱よりも高い温度で加熱し、基材とIII族窒化物半導体層とを分離する第５の工程と、 を有し、 第５の工程で分離されたIII族窒化物半導体層から下地基板を得る自立基板の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	古河機械金属株式会社

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】