窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002070
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2013-262486
出願日 2013/12/19
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-117165
公開日 2015/6/25
登録番号 特許第6316584号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化物半導体基板の製造方法
目的 成長面に溝が形成される不都合を軽減して、大口径の窒化物半導体膜を形成する技術を提供する。
効果 成長面に溝が形成される不都合を軽減して、大口径の窒化物半導体膜を形成する技術が実現される。
技術概要
上面及び側面を有する複数の窒化物半導体の小片を準備する準備工程と、
複数の前記小片を、前記上面が露出するように基板保持台の載置面に載置する載置工程と、
前記載置工程の後、複数の前記小片の前記上面各々から窒化物半導体結晶を成長させ、前記小片各々から成長させた窒化物半導体同士を互いに接合させて窒化物半導体膜を形成する成長工程と、
を含み、
複数の前記小片の半数以上は、
前記上面が、[11−2X]を法線とする第1面を含み、
前記側面が、c軸又はc軸を0°より大かつ90°より小の範囲で傾けた軸を法線とする第2面と、m軸を0°より大かつ90°より小の範囲で傾けた軸であって、c軸と直交しない軸を法線とする第3面とを含み、
前記第2面同士又は前記第3面同士が隣接する前記小片と対向するように前記基板保持台に載置され、
前記第3面の法線を前記第1面に投影した第2の投影線は、m軸を前記第1面に投影した第3の投影線から5°以上40°以下傾いている窒化物半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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