III族窒化物半導体層およびIII族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002069
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2014-029758
出願日 2014/2/19
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-151330
公開日 2015/8/24
登録番号 特許第6315665号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体層およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体層の製造方法及びIII族窒化物半導体基板
目的 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。
効果 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造することができる。
技術概要
下地基板に、前記下地基板の第1の面から前記下地基板の厚さ方向に伸び、かつ、前記下地基板に形成された転位と繋がる縦長ピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記下地基板の前記第1の面の上に、前記縦長ピットの少なくとも一部分を空洞として残して、III族窒化物半導体を成長させる成長工程と、
を有し、
前記縦長ピットの開口の直径Diが、100nm≦Di≦1000nmを満たし、
前記ピット形成工程では、前記転位が存在する位置に選択的に前記縦長ピットを形成するIII族窒化物半導体層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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