| 出願番号 |
特願2016-245357 |
| 出願日 |
2016/12/19 |
| 出願人 |
古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 |
特開2018-100189 |
| 公開日 |
2018/6/28 |
| 登録番号 |
特許第6306677号 |
| 特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 |
ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 |
サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための新たな技術を提供する。 |
| 効果 |
サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための新たな技術が実現される。 |
技術概要
 |
半極性面を主面として有するサファイア基板と、
前記主面上に位置するIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記主面に垂直な方向での平面視において、前記サファイア基板の＜０００２＞方向と、前記III族窒化物半導体層の＜１０−１０＞方向とのなす角が４４．５°以上４５．５°以下であるIII族窒化物半導体基板。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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