III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002065
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2016-245357
出願日 2016/12/19
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2018-100189
公開日 2018/6/28
登録番号 特許第6306677号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
目的 サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための新たな技術を提供する。
効果 サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための新たな技術が実現される。
技術概要
半極性面を主面として有するサファイア基板と、
前記主面上に位置するIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記主面に垂直な方向での平面視において、前記サファイア基板の<0002>方向と、前記III族窒化物半導体層の<10−10>方向とのなす角が44.5°以上45.5°以下であるIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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