ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002063
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/23
- 最新更新日
- 2020/12/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-246908 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/12/20 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/6/28 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させるための技術を提供する。 |
| 効果 | III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させることができる。 |
技術概要) |
サファイア基板と、
前記サファイア基板上に形成されたIII族窒化物半導体層と、 を有し、 前記III族窒化物半導体層の主面は、半極性面であり、ミラー指数（ｈｋｍｌ）で表され、ｌが０未満であり、 前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のｃ軸を前記主面に投影した投影軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定したＸＲＣ（X-ray Rocking Curve）の半値幅は、５００ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物半導体基板。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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