III族窒化物半導体基板の評価方法

開放特許情報番号
L2020002062
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2014-029763
出願日 2014/2/19
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-151331
公開日 2015/8/24
登録番号 特許第6262561号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板の評価方法
技術分野 無機材料
機能 検査・検出
適用製品 III族窒化物半導体基板の評価方法
目的 複数の転位に対応するピットが形成される不都合を軽減し、転位解析の精度を向上させること。
効果 複数の転位に対応するピットが形成される不都合を軽減し、転位解析の精度を向上させることができる。
技術概要
評価対象の基板に、前記基板の第1の面から前記基板の厚さ方向に伸び、前記基板に形成された転位と繋がり、かつ、前記第1の面における開口の直径Diが100nm≦Di≦500nmであり、アスペクト比(=深さDe/開口の直径Di)が3≦De/Di≦100を満たす縦長ピットを含むピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記縦長ピットの数をカウントすることで、前記第1の面に貫通する転位の数をカウントする解析工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の評価方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT