自立基板の製造方法および自立基板

開放特許情報番号
L2020002058
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2013-238738
出願日 2013/11/19
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-098413
公開日 2015/5/28
登録番号 特許第6250368号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 自立基板の製造方法および自立基板
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 自立基板の製造方法および自立基板
目的 簡便な工程で、反りを低減した自立基板を提供する。
効果 簡便な工程で、反りを低減した自立基板を提供することができる。
技術概要
窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に炭素を不純物として導入しながら第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1の窒化物半導体層の上に、厚さが50μm以上である第2の窒化物半導体層を形成する工程とを含み、
含有される炭素の濃度が、前記下地基板から厚み方向に遠ざかるにつれて連続的に高くなるように前記第1の窒化物半導体層を形成する自立基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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