III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002057
開放特許情報登録日
2020/12/23
最新更新日
2020/12/23

基本情報

出願番号 特願2017-001758
出願日 2017/1/10
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2018-113297
公開日 2018/7/19
登録番号 特許第6232150号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
目的 所望の半極性面を成長面としてIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる新たな技術を提供する。
効果 所望の半極性面を成長面としてIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる新たな技術が実現される。
技術概要
{10−10}面、又は、{10−10}面を所定の方向に所定角度傾斜した面を主面として有するサファイア基板を準備するサファイア基板準備工程と、
窒化処理を行いながら、又は、前記窒化処理を行わずに、前記サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程と、
前記熱処理後の前記サファイア基板の前記主面の上に、バッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
前記バッファ層の上に、成長面が所定の面方位となっているIII族窒化物半導体層を形成する成長工程と、
を有し、
前記サファイア基板準備工程では、{10−10}面をa面と平行になる方向に4.5°以上5.5°以下、9.5°以上10.5°以下、14.5°以上15.5°以下、及び、19.5°以上20.5°以下の中のいずれかの角度で傾斜した面を前記主面として有する前記サファイア基板を準備し、
前記バッファ層形成工程では、成長温度を1060℃以上1120℃以下とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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