III族窒化物半導体自立基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002056
開放特許情報登録日
2020/12/16
最新更新日
2020/12/16

基本情報

出願番号 特願2013-236527
出願日 2013/11/15
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-096453
公開日 2015/5/21
登録番号 特許第6224424号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体自立基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体自立基板の製造方法
目的 下地基板の上のIII族窒化物半導体に反りが生じることを抑制する。
効果 下地基板の上のn型III族窒化物半導体層の反りが抑制される。
技術概要
少なくとも第1面がIII族窒化物半導体によって形成されている下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の前記第1面の上に積層膜を形成する工程と、
n型III族窒化物半導体層を形成する工程と、
少なくとも前記下地基板を除去して、前記積層体を、少なくとも前記n型III族窒化物半導体層を含む基体に加工する工程と、
を含み、
前記積層膜は、n型不純物濃度が相対的に高いIII族窒化物半導体からなる第1半導体層と、n型不純物濃度が相対的に低いIII族窒化物半導体からなる第2半導体層と、が、交互に積層されてなり、
前記第1半導体層よりも低いn型不純物濃度を有するIII族窒化物半導体層を形成する工程をさらに含み、
前記III族窒化物半導体層の膜厚は、前記積層膜に含まれるいずれの前記第1半導体層または前記第2半導体層よりも厚く、
前記III族窒化物半導体層のn型不純物濃度は、前記積層膜に含まれる前記第2半導体層のいずれのn型不純物濃度よりも低いIII族窒化物半導体自立基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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