半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム

開放特許情報番号
L2020002054
開放特許情報登録日
2020/12/16
最新更新日
2020/12/16

基本情報

出願番号 特願2013-251291
出願日 2013/12/4
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-109338
公開日 2015/6/11
登録番号 特許第6211911号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム
目的 半導体中のキャリア密度、移動度、および電気抵抗率のいずれかの電気特性値をテラヘルツ光を用いて測定し、二次元的な分布図として表示する。
効果 半導体中のキャリア密度、移動度、および電気抵抗率のいずれかの電気特性値をテラヘルツ光を用いて測定し、二次元的な分布図として表示できる。
技術概要
半導体からなる、測定対象とする試料の、測定位置にテラヘルツ光を照射し、反射率を測定する反射率測定部と、
前記試料の前記測定位置における電気特性を示す値を算出する算出部と、
分布測定を行う分布測定制御部と、
前記試料における前記電気特性を示す値の分布情報を生成する分布生成部と、
前記電気特性を示す値に対応づけて表した分布図を生成する分布図生成部と、
前記分布図を表示する表示部と、
前記半導体の前記電気特性を示す値と反射率の計算値との関係を示す情報を保持する計算値記憶部とを有する記憶部と、
前記電気特性を示す値の測定に用いる測定周波数を選択する選択部とを備え、
前記算出部は、前記計算値記憶部に保持された前記半導体の前記電気特性を示す値と反
射率の計算値との関係を示す情報、および前記選択部により選択された前記測定周波数について前記反射率測定部が測定した反射率R↓(exp)に基づいて前記試料の前記電気特性を示す値を算出する半導体の電気特性の測定装置。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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