半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム。

開放特許情報番号
L2020002052
開放特許情報登録日
2020/12/16
最新更新日
2020/12/16

基本情報

出願番号 特願2013-251290
出願日 2013/12/4
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-108548
公開日 2015/6/11
登録番号 特許第6193103号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム。
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム
目的 半導体中のキャリア密度、移動度、および電気抵抗率のいずれかの電気特性値をテラヘルツ光を用いて高精度で測定する。
効果 半導体中のキャリア密度、移動度、電気抵抗率といった電気特性値をテラヘルツ光を用いて高精度で測定できる。
技術概要
半導体からなる、測定対象とする試料の、求めようとする電気特性を示す値が含まれるレンジを保持するレンジ記憶部と、テラヘルツ光の周波数毎に、前記半導体の前記電気特性を示す値と反射率の計算値との関係を示す情報を保持する計算値記憶部とを有する記憶部と、
前記電気特性を示す値が含まれるレンジにおける感度を考慮して、前記電気特性を示す値の測定に用いる測定周波数を選択する選択部と、
前記試料にテラヘルツ光を照射した際の反射率を測定する反射率測定部と、
前記計算値記憶部に保持された前記半導体の前記電気特性を示す値と反射率の計算値との関係を示す情報、および前記選択部により選択された前記測定周波数について前記反射率測定部が測定した反射率R↓(exp)に基づいて前記試料の前記電気特性を示す値を算出する算出部とを備える半導体の電気特性の測定装置。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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