III族窒化物半導体層の製造方法

開放特許情報番号
L2020002051
開放特許情報登録日
2020/12/16
最新更新日
2020/12/16

基本情報

出願番号 特願2013-212913
出願日 2013/10/10
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2015-074591
公開日 2015/4/20
登録番号 特許第6178206号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体層の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体層の製造方法
目的 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。
効果 従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造することができる。
技術概要
下地基板に、前記下地基板の厚さ方向に伸びている縦長ピット部分と、前記縦長ピット部分よりも大きい直径を有するとともに前記縦長ピット部分の一端と繋がっている幅広ピット部分と、を有し、かつ、前記下地基板に形成された転位と繋がる漏斗形状ピットを複数形成するピット形成工程と、
前記ピット形成工程の後、前記下地基板の上に、前記漏斗形状ピットの少なくとも一部分を空隙として残して、III族窒化物半導体を横方向成長させる成長工程と、
を有し、
前記ピット形成工程は、
前記下地基板に、一端が開口する縦長ピットを形成する第1工程と、
前記第1工程の後、前記縦長ピットの開口側端部の一部分を径方向に拡張して前記幅広ピット部分を形成する第2工程と、
を有するIII族窒化半導体層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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