半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置

開放特許情報番号
L2020002050
開放特許情報登録日
2020/12/16
最新更新日
2020/12/16

基本情報

出願番号 特願2013-079921
出願日 2013/4/5
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2014-201496
公開日 2014/10/27
登録番号 特許第6158564号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置
目的 基板上に形成される堆積物の膜厚を均一化することが可能な半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置を提供する。
効果 基板上に形成される堆積物の膜厚を均一化することができる。
技術概要
基板に反応ガスを供給して、前記基板上にハイドライド気相成長法により堆積物を形成する工程を有し、
前記堆積物を形成する工程では、前記反応ガスの流れを変化させる気流変化部材を、前記基板の周縁部又はその近傍の領域と対向するように、当該周縁部又は当該近傍の領域よりも前記反応ガスの上流側に配置した状態で、前記堆積物を形成し、
前記気流変化部材と前記基板とが相互に重なり合う領域の前記基板の径方向における寸法は、前記基板の直径の20%以下である半導体装置の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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