下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002049
- 開放特許情報登録日
- 2020/12/16
- 最新更新日
- 2020/12/16
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-079566 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/4/5 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/10/27 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | III族窒化物半導体基板の生産性を向上できる下地基板の製造方法を提供する。 |
| 効果 | III族窒化物半導体基板の生産性を向上できる下地基板の製造方法およびこの製造方法を使用したIII族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。 |
技術概要) |
基材層上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムおよび炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層を形成する工程と、
前記炭化物層を窒化する工程と、 前記窒化された炭化物層上に、III族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、 前記基材層、前記炭化物層およびエピタキシャル成長後の前記III族窒化物半導体層を前記エピタキシャル成長の成長温度よりも高い温度で熱処理し、 前記III族窒化物半導体層と前記基材層とを剥離して、前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体の下地基板を得る工程とを含み、 III族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる前記工程では、厚さ６００μｍ以下の前記III族窒化物半導体層を形成する下地基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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