III族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2020002034
開放特許情報登録日
2020/12/11
最新更新日
2020/12/11

基本情報

出願番号 特願2012-088445
出願日 2012/4/9
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2013-216538
公開日 2013/10/24
登録番号 特許第5937408号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法
目的 III族窒化物半導体の湾曲に起因して生じうる結晶歪みを解決する手段を提供する。
効果 III族窒化物半導体の湾曲に起因して生じうる結晶歪みを解決することが可能となる。
技術概要
第1のIII族窒化物半導体層の第2の主面上に位置する第2のIII族窒化物半導体層と、
を有し、
以下の算出方法を用い第1の主面の外周上の2点の複数の組み合わせ各々に対応して算出される曲率1/R↓1(m↑(−1))はいずれも、−0.1m↑(−1)≦1/R↓1≦0.1m↑(−1)を満たすIII族窒化物半導体基板。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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