III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002031
開放特許情報登録日
2020/12/11
最新更新日
2020/12/11

基本情報

出願番号 特願2012-087549
出願日 2012/4/6
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2013-216528
公開日 2013/10/24
登録番号 特許第5898555号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
目的 大口径のIII族窒化物半導体基板を製造する。
効果 大口径のIII族窒化物半導体基板を製造することができる。
技術概要
a面、又は、a面をc面と重なる方向及び/又はm面と重なる方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面である第1の面と、m面、又は、m面をc面と重なる方向及び/又はa面と重なる方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面である第2の面とを露出面として有するIII族窒化物半導体の複数の個片を準備する準備工程と、
以下の条件(1)乃至(3)を満たすように複数の前記個片を支持基板の載置面に並べて配置する配置工程と、
条件(1):「前記成長面が露出する。」
条件(2):「前記側壁面が他の前記個片の前記側壁面と対向する。」
条件(3):「前記側壁面同士が対向する方向を第1の方向とし、前記第2の方向へのIII族窒化物半導体の成長速度は前記第1の方向への成長速度よりも速く、かつ、前記第1の方向の前記個片間の間隔が前記第2の方向の前記間隔よりも小さい。」
前記配置工程の後、複数の前記個片各々の前記成長面からIII族窒化物半導体を成長させるとともに、少なくとも一部の複数の前記個片から成長した前記III族窒化物半導体同士を接合させて、III族窒化物半導体の層を形成する成長工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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