半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置

開放特許情報番号
L2020002027
開放特許情報登録日
2020/12/11
最新更新日
2020/12/11

基本情報

出願番号 特願2013-514961
出願日 2012/3/15
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 WO2012/157161
公開日 2012/11/22
登録番号 特許第5715245号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置
目的 歩留まりに優れた気相成長装置を提供する。
効果 洗浄ガスの使用量を低減でき、洗浄効率に優れた、半導体製造装置部品の洗浄方法および半導体製造装置部品の洗浄装置が提供される。
技術概要
一般式Al↓xIn↓yGa↓(1−x−y)N(ただし、x、yは0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1である。)で表記される窒化物半導体が付着した半導体製造装置部品の洗浄装置であって、
前記半導体製造装置部品を保持する部品保持部と、
前記窒化物半導体と反応するハロゲン含有ガスを導入するガス導入管と、
前記窒化物半導体と前記ハロゲン含有ガスとの反応生成物を捕捉する捕捉手段と、
前記反応生成物を排出するガス排出管と、
洗浄処理部と、
前記捕捉手段を冷却するための冷却部と、
を備え、
前記洗浄処理部の内部に前記部品保持部が配置され、前記冷却部の内部に前記捕捉手段が配置されており、
前記冷却部が、前記捕捉手段内部の温度を調節する機能を備え、
前記捕捉手段内部の温度を調節する機能が、低温にすることによって前記反応生成物を捕捉した後、高温に切り替えることによって、捕捉した前記反応生成物を再び蒸気にすることができる機能である半導体製造装置部品の洗浄装置。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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