窒化ガリウム系半導体の製造方法、及び、基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002025
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2011-077197
出願日 2011/3/31
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2012-211037
公開日 2012/11/1
登録番号 特許第5632322号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 窒化ガリウム系半導体の製造方法、及び、基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 種結晶、窒化ガリウム系半導体の製造方法、及び、基板の製造方法
目的 大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体の単結晶を製造する。
効果 大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体の単結晶を製造することが可能となる。
技術概要
Ga及びNを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶であって、前記種結晶の表面を、前記種結晶のc軸と平行な2つの方向の中の一方から観察したときの視野に、+c極性領域と、−c極性領域とが含まれる前記種結晶を用い、前記+c極性領域及び前記−c極性領域が含まれる前記視野に含まれる結晶面を結晶成長面として、窒化ガリウム系半導体を結晶成長させ、
前記結晶成長後の前記窒化ガリウム系半導体の結晶成長面において、前記−c極性領域が、前記+c極性領域を取り囲んでいる窒化ガリウム系半導体の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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