III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002024
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2010-202289
出願日 2010/9/9
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2012-056799
公開日 2012/3/22
登録番号 特許第5620762号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
目的 III族窒化物半導体の生産歩留まりを改善する。
効果 III族窒化物半導体の生産歩留まりを改善することができる。
技術概要
III族窒化物半導体(AlxGa1−x−yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))で構成される基板の小片が複数集まった基板小片層と、
前記基板小片層の第1の面に積層され、複数の前記小片を結合する、多結晶のIII族窒化物半導体で構成される裏打ち層と、
を有するIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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