III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002024
- 開放特許情報登録日
- 2020/11/20
- 最新更新日
- 2020/11/20
基本情報
出願番号 | 特願2010-202289 |
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出願日 | 2010/9/9 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2012/3/22 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 |
技術分野 | 無機材料 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 |
目的 | III族窒化物半導体の生産歩留まりを改善する。 |
効果 | III族窒化物半導体の生産歩留まりを改善することができる。 |
技術概要 |
III族窒化物半導体(AlxGa1−x−yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))で構成される基板の小片が複数集まった基板小片層と、
前記基板小片層の第1の面に積層され、複数の前記小片を結合する、多結晶のIII族窒化物半導体で構成される裏打ち層と、 を有するIII族窒化物半導体基板。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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