窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法、基板の製造方法、及び、種結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2020002022
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2011-077199
出願日 2011/3/31
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2012-211038
公開日 2012/11/1
登録番号 特許第5559090号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法、基板の製造方法、及び、種結晶の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法、基板の製造方法、及び、種結晶の製造方法
目的 大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法を提供する。
効果 大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体の単結晶を製造することが可能となる。
技術概要
Ga及びNを含む混晶からなる種結晶を準備する準備工程と、
前記種結晶の表面を前記種結晶のc軸と平行な2つの方向の中の一方から観察したときの視野に含まれる+c極性領域または−c極性領域の中の一部の極性を反転させる反転工程と、
を有する種結晶の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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