半導体基板の製造方法およびハイドライド気相成長装置

開放特許情報番号
L2020002020
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2009-248447
出願日 2009/10/29
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2011-096801
公開日 2011/5/12
登録番号 特許第5386303号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 半導体基板の製造方法およびハイドライド気相成長装置
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 ハイドライド気相成長装置
目的 反応管の下流から流入した外気により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。
効果 流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがなく、良質な結晶を形成することができる。
技術概要
ハイドライド気相成長装置を用いて、少なくとも第一反応ガスと第二反応ガスとを、上流側から、下流側にある基板の表面に供給して、III族窒化物半導体からなる結晶を成長させて、III族窒化物半導体基板を得る、半導体基板の製造方法であって、
ハイドライド気相成長装置は、
中空の反応管と、
反応管の内部で基板を下流側からサセプタ回転軸により軸支して回転駆動する基板回転機構と、
回転駆動される基板の表面に第一反応ガスを上流から供給する第一供給機構と、
回転駆動される基板の表面に第二反応ガスを上流から供給する第二供給機構と、
表面に第一反応ガスと第二反応ガスとが供給される基板の下流で反応管の内部の少なくとも外側を遮蔽し、反応管の下流から外気が対流により基板の表面に到達することを防止する対流防止部材と、
を有し、
当該製造方法は、
少なくとも第一反応ガスと第二反応ガスとを、上流側から、下流側にある基板の表面に供給して、結晶を成長させる工程を含み、
基板はGaN基板であり、
工程では、GaN基板のM面、A面又はR面に、結晶を成長させる半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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