ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002018
- 開放特許情報登録日
- 2020/11/20
- 最新更新日
- 2020/11/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2009-071618 |
|---|---|
| 出願日 | 2009/3/24 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2010/10/7 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 目的 | III族窒化物半導体基板を得るにあたり上述した問題を解消し、手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 |
| 効果 | 手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。 |
技術概要) |
下地基板上に、第一の膜として、炭素から構成される炭素膜、または、炭素膜中に炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物が分散した膜を形成する工程と、
前記第一の膜上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択された炭化物層を形成する工程と、 前記炭化物層を窒化する工程と、 窒化された前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、 前記III族窒化物半導体層から、前記下地基板を除去して、前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程とを含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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