III族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002017
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2009-134042
出願日 2009/6/3
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2010-030877
公開日 2010/2/12
登録番号 特許第5295871号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板の製造方法
目的 下地基板上に高品質のm面III族窒化物半導体層を成長させ得る、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
効果 転位密度や積層欠陥密度の低い高品質のm面III族窒化物半導体基板を作製することができる。
技術概要
下地基板上に炭素とアルミニウムとを含む中間層を形成する工程と、
前記中間層の少なくとも一部を窒化して窒化膜を形成する工程と、
六方晶系のm面を成長面として有するIII族窒化物半導体層を前記窒化膜の上部にエピタキシャル成長させる工程と、
前記III族窒化物半導体層から前記下地基板を剥離させて前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程と、
を含む、III族窒化物半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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