| 出願番号 |
特願2006-270353 |
| 出願日 |
2006/10/2 |
| 出願人 |
古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 |
特開2008-091598 |
| 公開日 |
2008/4/17 |
| 登録番号 |
特許第5271489号 |
| 特許権者 |
古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 |
ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びその製造方法 |
| 目的 |
無極性面または半極性面からなる面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。 |
| 効果 |
平坦な無極性面あるいは半極性面薄膜を得るために必要な基板が提供される。 |
技術概要
 |
ｃ軸方向に１ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物半導体のバルク結晶のｃ軸成長面をａｓ ｇｒｏｗｎ面のままとして、前記バルク結晶を、スライスまたは研磨することにより、（１１−２０）面もしくは（１０−１０）面からなる無極性面、または、（１０−１−１）面、（１０−１−３）面、（１０−１１）面、（１０−１３）面もしくは（１１−２２）面からなる半極性面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したＩＩＩ族窒化物半導体基板。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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