III族窒化物半導体基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2020002016
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2006-270353
出願日 2006/10/2
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2008-091598
公開日 2008/4/17
登録番号 特許第5271489号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板及びその製造方法
目的 無極性面または半極性面からなる面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したIII族窒化物半導体基板を提供する。
効果 平坦な無極性面あるいは半極性面薄膜を得るために必要な基板が提供される。
技術概要
c軸方向に1mm以上の厚さを有するIII族窒化物半導体のバルク結晶のc軸成長面をas grown面のままとして、前記バルク結晶を、スライスまたは研磨することにより、(11−20)面もしくは(10−10)面からなる無極性面、または、(10−1−1)面、(10−1−3)面、(10−11)面、(10−13)面もしくは(11−22)面からなる半極性面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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