III族窒化物半導体結晶の製造方法、III族窒化物半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2020002015
開放特許情報登録日
2020/11/20
最新更新日
2020/11/20

基本情報

出願番号 特願2006-000961
出願日 2006/1/5
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2007-184379
公開日 2007/7/19
登録番号 特許第5260831号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体結晶の製造方法、III族窒化物半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 遷移金属原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶
目的 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
効果 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法が提供される。
技術概要
気相成長装置の反応室内に、
ハロゲン化されたIII族原料ガスと、
窒素原料ガスと、
ハロゲン化されたFe原子を含むドーピングガスと、
H↓2のキャリアガスと、
を供給して、
前記反応室内に保持されている基板上に、
前記Fe原子が添加された半絶縁性のIII族窒化物半導体結晶を形成する工程を含み、
前記窒素原料ガスの供給量と、前記III族原料ガスの供給量との比であるV/III比が30以下であり、
III族窒化物半導体結晶を形成する前記工程では、Fe原子の密度が、1.0×10↑(18)cm↑(−3)以上、1×10↑(20)cm↑(−3)以下であり、かつ、Si原子およびO原子の合計密度よりも高く、
Gaを必須元素として含む、III族窒化物半導体結晶を形成するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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