ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002015
- 開放特許情報登録日
- 2020/11/20
- 最新更新日
- 2020/11/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2006-000961 |
|---|---|
| 出願日 | 2006/1/5 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2007/7/19 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、金属材料、無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 遷移金属原子が添加されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶 |
| 目的 | 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。 |
| 効果 | 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法が提供される。 |
技術概要) |
気相成長装置の反応室内に、
ハロゲン化されたIII族原料ガスと、 窒素原料ガスと、 ハロゲン化されたＦｅ原子を含むドーピングガスと、 Ｈ↓２のキャリアガスと、 を供給して、 前記反応室内に保持されている基板上に、 前記Ｆｅ原子が添加された半絶縁性のIII族窒化物半導体結晶を形成する工程を含み、 前記窒素原料ガスの供給量と、前記III族原料ガスの供給量との比であるＶ／III比が３０以下であり、 III族窒化物半導体結晶を形成する前記工程では、Ｆｅ原子の密度が、１．０×１０↑（１８）ｃｍ↑（−３）以上、１×１０↑（２０）ｃｍ↑（−３）以下であり、かつ、Ｓｉ原子およびＯ原子の合計密度よりも高く、 Ｇａを必須元素として含む、III族窒化物半導体結晶を形成するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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