III族窒化物半導体結晶の製造方法、III族窒化物半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020002015
- 開放特許情報登録日
- 2020/11/20
- 最新更新日
- 2020/11/20
基本情報
出願番号 | 特願2006-000961 |
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出願日 | 2006/1/5 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2007/7/19 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | III族窒化物半導体結晶の製造方法、III族窒化物半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
技術分野 | 電気・電子、金属材料、無機材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 遷移金属原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶 |
目的 | 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。 |
効果 | 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法が提供される。 |
技術概要![]() |
気相成長装置の反応室内に、
ハロゲン化されたIII族原料ガスと、 窒素原料ガスと、 ハロゲン化されたFe原子を含むドーピングガスと、 H↓2のキャリアガスと、 を供給して、 前記反応室内に保持されている基板上に、 前記Fe原子が添加された半絶縁性のIII族窒化物半導体結晶を形成する工程を含み、 前記窒素原料ガスの供給量と、前記III族原料ガスの供給量との比であるV/III比が30以下であり、 III族窒化物半導体結晶を形成する前記工程では、Fe原子の密度が、1.0×10↑(18)cm↑(−3)以上、1×10↑(20)cm↑(−3)以下であり、かつ、Si原子およびO原子の合計密度よりも高く、 Gaを必須元素として含む、III族窒化物半導体結晶を形成するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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