III族窒化物半導体層の製造方法

開放特許情報番号
L2020002011
開放特許情報登録日
2020/11/6
最新更新日
2020/11/6

基本情報

出願番号 特願2009-071635
出願日 2009/3/24
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2010-222187
公開日 2010/10/7
登録番号 特許第5129186号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体層の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体層の製造方法
目的 反りの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供する。
効果 反りの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法が提供される。
技術概要
下地基板上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層を形成する工程と、
前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、
前記炭化物層の前記III族窒化物半導体層側の表面よりも上方の領域であり、前記III族窒化物半導体層中で亀裂を生じさせて、前記下地基板を除去し、前記III族窒化物半導体層を得る工程とを含むIII族窒化物半導体層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT