III族窒化物半導体基板形成用基板

開放特許情報番号
L2020002009
開放特許情報登録日
2020/11/6
最新更新日
2020/11/6

基本情報

出願番号 特願2008-069644
出願日 2008/3/18
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2009-221078
公開日 2009/10/1
登録番号 特許第5075692号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板形成用基板
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板形成用基板
目的 手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板を提供する。
効果 手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板が提供される。
技術概要
下地基板と、
この下地基板上に設けられ、炭化アルミニウム層を窒化した層と、
前記炭化アルミニウム層を窒化した層上に設けられたIII族窒化物半導体膜とを備え、
前記III族窒化物半導体膜の厚みが、20nm以上、50μm以下であり、
前記炭化アルミニウム層を窒化した層の厚みが20nm以上、140nm以下であり、
前記炭化アルミニウム層を窒化した層は、炭化アルミニウムと、窒化アルミニウムと、炭素とを含み、
前記下地基板と、前記炭化アルミニウム層を窒化した層との界面に炭素の層が形成されておらず、前記炭化アルミニウム層を窒化した層中に前記炭素が分散しているIII族窒化物半導体基板形成用基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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