III族窒化物半導体層の製造方法

開放特許情報番号
L2020002005
開放特許情報登録日
2020/11/6
最新更新日
2020/11/6

基本情報

出願番号 特願2009-071636
出願日 2009/3/24
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2010-222188
公開日 2010/10/7
登録番号 特許第4993627号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体層の製造方法
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体層の製造方法
目的 反りの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供する。
効果 反りを低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法が提供される。
技術概要
下地基板上に、開口部からIII族窒化物半導体層を成長させるためのマスクを形成する工程を含まないIII族窒化物半導体層の製造方法であって、
炭化物層を形成する工程と、
前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、
前記下地基板が除去されたIII族窒化物半導体層を得る工程とを含み、
III族窒化物半導体層を成長させる前記工程は、
3次元成長により第一のIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、
2次元成長により第二のIII族窒化物半導体層を形成し、
前記第二のIII族窒化物半導体層の2次元成長領域の(0002)のX線ロッキングカーブ半値幅が、前記第一のIII族窒化物半導体層の3次元成長領域の(0002)のX線ロッキングカーブ半値幅に対して50%以下であるIII族窒化物半導体層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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