GaN半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020002004
開放特許情報登録日
2020/11/6
最新更新日
2020/11/6

基本情報

出願番号 特願2007-294577
出願日 2007/11/13
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2009-120425
公開日 2009/6/4
登録番号 特許第4944738号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 GaN半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 GaN半導体基板
目的 良好な品質の無極性面GaN結晶を生成できるGaN半導体基板の製造方法を提供する。
効果 良好な結晶品質の無極性面GaN結晶を得ることができ、さらにGaN半導体基板の製造方法が提供される。
技術概要
下地基板上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化バナジウムおよび炭化タンタルからなる群より選択される炭化物からなる層を形成する工程と、
前記炭化物層を窒化する工程と、
窒化された前記炭化物層の上に、GaN結晶の無極性面を成長面としてエピタキシャル成長させて、無極性面GaN結晶層を形成する工程と、
前記下地基板を除去して、前記無極性面GaN結晶層を含むGaN半導体基板を得る工程と、
を含むことを特徴とするGaN半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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