III族窒化物半導体自立基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020001994
開放特許情報登録日
2020/10/21
最新更新日
2020/10/21

基本情報

出願番号 特願2006-119042
出願日 2006/4/24
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2007-290894
公開日 2007/11/8
登録番号 特許第4689526号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体自立基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 III族窒化物半導体自立基板の製造方法およびIII族窒化物半導体自立基板
目的 サファイア基板をスムーズに除去できるIII族窒化物半導体自立基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体自立基板を提供する。
効果 サファイア基板をスムーズに除去することができるIII族窒化物半導体自立基板の製造方法、さらには、この製造方法により製造されたIII族窒化物半導体自立基板が提供される。
技術概要
サファイア基板上に、
Al↓aGa↓(1−a)N(0≦a<1)により構成され、組成aが略一定である第一層と
この第一層上に形成される第二層と、
前記第二層上に形成されたGaN層である第三層とを積層させる工程と、
前記第一層、第二層、第三層およびサファイア基板を冷却する工程と、
前記サファイア基板を除去し、少なくとも前記第三層を有するIII族窒化物半導体自立基板を得る工程とを含み、
第一層、第二層、第三層を積層させる前記工程では、Al↓xGa↓(1−x)N(0≦x≦1)により構成され、組成xが第一層の組成aよりも大きく、組成xが層厚方向に沿って、前記第三層側に向かって増加する組成分布を有し、厚みが3μm以上、100μm以下の前記第二層を形成するIII族窒化物半導体自立基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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