ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020001991
- 開放特許情報登録日
- 2020/10/21
- 最新更新日
- 2020/10/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2004-359211 |
|---|---|
| 出願日 | 2004/12/10 |
| 出願人 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2006/6/29 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板およびその製造方法 |
| 目的 | 損傷の少ない高品質のＩＩＩ族窒化物半導体自立基板を安定的に提供する。 |
| 効果 | 特定の構成からなる構造体を冷却することにより、下地基板を剥離除去できるので、損傷の少ない高品質のＩＩＩ族窒化物半導体自立基板を提供することができる。 |
技術概要) |
下地基板の上部に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層の上部に、前記下地層よりもｎ型不純物の含有量の高いＩＩＩ族窒化物半導体からなる第一の層を形成する工程と、 前記第一の層の上部に、前記第一の層よりもｎ型不純物の含有量の低いＩＩＩ族窒化物半導体からなる第二の層を形成する工程と、 前記下地基板、前記下地層、前記第一の層および前記第二の層を冷却する工程と、 前記第一の層の内部、または、前記第一の層と前記第二の層との界面付近において前記下地基板を含む構造体を分離除去して、前記第二の層を含む自立基板を得る工程と、 を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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