気相成長装置

開放特許情報番号
L2020001990
開放特許情報登録日
2020/10/21
最新更新日
2020/10/21

基本情報

出願番号 特願2004-198875
出願日 2004/7/6
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2006-024597
公開日 2006/1/26
登録番号 特許第4544923号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 気相成長装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 気相成長装置
目的 鉄ドープされたIII族窒化物を含む高品質な半導体膜を安定形成する。
効果 ドーピングガス供給部が特定の構成を有するため、鉄ドープされたIII族窒化物を含む高品質な半導体膜が安定形成される。
技術概要
反応室と、
前記反応室内に設けられている基板保持部と、
III族原料ガスを前記反応室内に供給するIII族原料ガス供給部と、
窒素原料ガスを前記反応室内に供給する窒素原料ガス供給部と、
ドーピングガスを前記反応室内に供給するドーピングガス供給部と、
を備え、
前記ドーピングガス供給部に、高純度鉄または鉄元素を含む非有機物を含有する鉄原料が互いに間隙を有する配置で載置され、
前記ドーピングガス供給部は、
ハロゲン含有ガスを供給される管状構造を有するドーピングガス供給管であり、
前記ドーピングガス供給管に、前記鉄原料の互いの前記間隙および前記ドーピングガス供給管との間隙にガス流路が形成されるように前記鉄原料が配置され、
前記鉄原料は、棒状の鉄原料からなることを特徴とする気相成長装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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