III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2020001987
開放特許情報登録日
2020/10/21
最新更新日
2020/10/21

基本情報

出願番号 特願2005-172937
出願日 2005/6/13
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2006-347786
公開日 2006/12/28
登録番号 特許第4482490号
特許権者 古河機械金属株式会社
発明の名称 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
目的 基板表面のAl↓bGa↓(1−b9N(0<b≦1)層におけるクラックの発生を低減させることができ、さらに、基板表面のAl↓bGa↓(1−b9N(0<b≦1)層における転位密度の低減を図ることができるIII族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
効果 基板表面のAl↓bGa↓(1−b)N(0<b≦1)層におけるクラックの発生を低減させることができ、さらに、基板表面のAl↓bGa↓(1−b)N(0<b≦1)層における転位密度の低減を図ることができるIII族窒化物半導体基板および、III族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。
技術概要
開口部が形成された絶縁膜と、
組成aが一定のAl↓aGa↓(1−a)N(0≦a<1)により構成され、前記絶縁膜の前記開口部内部を埋め込み、前記絶縁膜上を覆う第一層と、
この第一層上に形成される第二層と、
前記第二層上に形成され、組成bが一定のAl↓bGa↓(1−b)N(0<b≦1)により構成される第三層と、
を備え、
前記第二層は、Al↓xGa↓(1−x)N(0<x<1)層により構成され、組成xが層厚方向に変化し、前記第三層に接する表面の組成xが、前記第一層に接する表面の組成xよりも高くなった組成分布を有し、
前記組成a、b、xにおいてa<x<bとなる関係が成立していることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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