ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法

開放特許情報番号

L2020001987

開放特許情報登録日

2020/10/21

最新更新日

2020/10/21

基本情報

出願番号	特願2005-172937
出願日	2005/6/13
出願人	古河機械金属株式会社
公開番号	特開2006-347786
公開日	2006/12/28
登録番号	特許第4482490号
特許権者	古河機械金属株式会社
発明の名称	ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
技術分野	無機材料、電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
目的	基板表面のＡｌ↓ｂＧａ↓（１−ｂ９Ｎ（０＜ｂ≦１）層におけるクラックの発生を低減させることができ、さらに、基板表面のＡｌ↓ｂＧａ↓（１−ｂ９Ｎ（０＜ｂ≦１）層における転位密度の低減を図ることができるIII族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
効果	基板表面のＡｌ↓ｂＧａ↓（１−ｂ）Ｎ（０＜ｂ≦１）層におけるクラックの発生を低減させることができ、さらに、基板表面のＡｌ↓ｂＧａ↓（１−ｂ）Ｎ（０＜ｂ≦１）層における転位密度の低減を図ることができるIII族窒化物半導体基板および、III族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。
技術概要	開口部が形成された絶縁膜と、 組成ａが一定のＡｌ↓ａＧａ↓（１−ａ）Ｎ（０≦ａ＜１）により構成され、前記絶縁膜の前記開口部内部を埋め込み、前記絶縁膜上を覆う第一層と、 この第一層上に形成される第二層と、 前記第二層上に形成され、組成ｂが一定のＡｌ↓ｂＧａ↓（１−ｂ）Ｎ（０＜ｂ≦１）により構成される第三層と、 を備え、 前記第二層は、Ａｌ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ＜１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、前記第三層に接する表面の組成ｘが、前記第一層に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布を有し、 前記組成ａ、ｂ、ｘにおいてａ＜ｘ＜ｂとなる関係が成立していることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	古河機械金属株式会社

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】