III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2020001987
- 開放特許情報登録日
- 2020/10/21
- 最新更新日
- 2020/10/21
基本情報
出願番号 | 特願2005-172937 |
---|---|
出願日 | 2005/6/13 |
出願人 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2006/12/28 |
登録番号 | |
特許権者 | 古河機械金属株式会社 |
発明の名称 | III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 |
技術分野 | 無機材料、電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 |
目的 | 基板表面のAl↓bGa↓(1−b9N(0<b≦1)層におけるクラックの発生を低減させることができ、さらに、基板表面のAl↓bGa↓(1−b9N(0<b≦1)層における転位密度の低減を図ることができるIII族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 |
効果 | 基板表面のAl↓bGa↓(1−b)N(0<b≦1)層におけるクラックの発生を低減させることができ、さらに、基板表面のAl↓bGa↓(1−b)N(0<b≦1)層における転位密度の低減を図ることができるIII族窒化物半導体基板および、III族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。 |
技術概要![]() |
開口部が形成された絶縁膜と、
組成aが一定のAl↓aGa↓(1−a)N(0≦a<1)により構成され、前記絶縁膜の前記開口部内部を埋め込み、前記絶縁膜上を覆う第一層と、 この第一層上に形成される第二層と、 前記第二層上に形成され、組成bが一定のAl↓bGa↓(1−b)N(0<b≦1)により構成される第三層と、 を備え、 前記第二層は、Al↓xGa↓(1−x)N(0<x<1)層により構成され、組成xが層厚方向に変化し、前記第三層に接する表面の組成xが、前記第一層に接する表面の組成xよりも高くなった組成分布を有し、 前記組成a、b、xにおいてa<x<bとなる関係が成立していることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
---|---|
その他の情報
関連特許 |
|
---|